蒸着ガス
継続的な研究開発と積極的な市場対応戦略により、 半導体及びディスプレイ製造工程の中核素材である様々な蒸着ガスを生産・販売しています。
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六フッ化タングステンWF6詳細を見る
Global No. 1 WF6は半導体の製造工程でメタルコンタクトとゲートを形成する用途に使用されます。
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モノシランSiH4詳細を見る
韓国で初めて, 唯一, モノシラン(SiH4)を生産販売 SiH4は半導体、ディスプレイ及び太陽電池の製造工程で使用され、Si絶縁膜、Si反射防止膜を形成するために使用されます。
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ジシランSi2H6詳細を見る
Si2H6は半導体の微細化工程で使用されるガスで、薄膜蒸着の際に低温を保持したまま高速に均一な膜質を形成するために使用されます。
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ジクロロシランSiH2Cl2詳細を見る
SiH2Cl2は半導体の製造工程で窒化膜（SixNy）を蒸着する時に使用されます
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モノクロロシランSiH3Cl詳細を見る
SiH3Cl（MCS）は半導体及びディスプレイ工程用で使用されるプリカーサーの原材料です。
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トリメチルシラン(3MS, SiH(CH3)3)詳細を見る
半導体金属ラインの間の層間平坦化絶縁膜（SiO2）の形成及びギャップフィル工程のための蒸着ガスです。
- 六フッ化タングステン
WF6 - Global No. 1 WF6は半導体の製造工程でメタルコンタクトとゲートを形成する用途に使用されます。
- モノシラン
SiH4 - 韓国で初めて, 唯一, モノシラン(SiH4)を生産販売 SiH4は半導体、ディスプレイ及び太陽電池の製造工程で使用され、Si絶縁膜、Si反射防止膜を形成するために使用されます。
- ジシラン
Si2H6 - Si2H6は半導体の微細化工程で使用されるガスで、薄膜蒸着の際に低温を保持したまま高速に均一な膜質を形成するために使用されます。
- ジクロロシラン
SiH2Cl2 - SiH2Cl2は半導体の製造工程で窒化膜（SixNy）を蒸着する時に使用されます。
- モノクロロシラン
SiH3Cl - SiH3Cl（MCS）は半導体及びディスプレイ工程用で使用されるプリカーサーの原材料です。
- トリメチルシラン
(3MS,SiH(CH3)3) - 半導体金属ラインの間の層間平坦化絶縁膜（SiO2）の形成及びギャップフィル工程のための蒸着ガスです。