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디실란 (Si2H6)

Si2H6는 반도체 미세화 공정에 사용되는 가스로서, 박막 증착 시 저온에서 고속으로
균일한 막질을 형성하기 위한 용도로 사용됩니다.

  • INDIVIDUAL
SPECIFICATION
Unit : ppmv
SPECIFICATION (표)입니다. 이 표는 Si2H6, O2+Ar, N2, CO2, CH4, SiH4, Si3H8, Si4H10, Chlorosilane, Siloxane, H20로 구성되어 있습니다.
Si2H6 O2+Ar N2 CO2 CH4 SiH4 Si3H8 Si4H10 Chlorosilane Siloxane H20
99.99%
[Excluded SiH4, Si3H8, Si4H10]		 1.0 2.0 1.0 1.0 500 50 50 0.2 3.0 1.0
SPECIFICATION (표)입니다. 이 표는 Si2H6, O2+Ar, N2, CO2, CH4, SiH4, Si3H8, Si4H10, Chlorosilane, Siloxane, H20로 구성되어 있습니다.
Si2H6 99.99%
[Excluded SiH4, Si3H8, Si4H10]
O2+Ar 1.0
N2 2.0
CO2 1.0
CH4 1.0
SiH4 500
Si3H8 50
Si4H10 50
Chlorosilane 0.2
Siloxane 3.0
H2O 1.0
CYLINDERS INFORMATION
CYLINDERS INFORMATION (표)입니다. 이 표는 TYPE, MATERIAL, FILLING WEIGHT, VALVE CONNECTION TYPE로 구성되어 있습니다.
TYPE MATERIAL FILLING WEIGHT VALVE CONNECTION TYPE
47L Cr-Mo Steel, Mn Steel 3 / 10 / 12 kg JIS-22-14L,
CGA/DISS 632 etc.
CYLINDERS INFORMATION (표)입니다. 이 표는 TYPE, MATERIAL, FILLING WEIGHT, VALVE CONNECTION TYPE로 구성되어 있습니다.
TYPE 47L
MATERIAL Cr-Mo Steel, Mn Steel
FILLING WEIGHT 3 / 10 / 12 kg
VALVE CONNECTION TYPE JIS-22-14L, CGA/DISS 632 etc.
사용용도 알아보기 - 웨이퍼 → 제품투입 (웨이퍼, 챔버, 히터) → 공정 진행 (공정가스) 자세히 보기 - 반도체 (Dielectric(Contact, Spacer, Source, Drain, Gate, Gate Oxide, Channel)) Si2H6:Channel - 반도체 미세화 공정에 사용되는 가스로서, 박막 증착 시 저온에서 고속으로 균일한 막질을 형성하기 위한 용도로 사용됩니다. → 제품 반출 → 반도체 (웨이퍼)