포토레지스트(Photo Resist)란?

광 및 방사선 에너지에 노출시키면 현상액에 대한 용해도 변화가 발생하여 이미지 패턴을 형성하는 재료이며, 고분자, 감광제, 첨가제, 용제로 구성되어 있는 액상재료 입니다.

포토레지스트의 종류

• 광원의 파장에 따라 I-line( 약 365nm), KrF(248nm), ArF(193nm), EUV(13.5nm)로 나누어지면 파장의 선 폭이 좁을수록 미세회로를 그릴 수 있습니다.
• 빛에 노광 되는 영역이 녹는 Positive PR과 노광 되지 않는 영역이 녹는 Negative PR로 구분할 수 있습니다.
• SKMP는 DRAM 용과 NAND 용 반도체 생산 시 포토리소그래피 공정에 사용되는 물질로써 ArF Imm. PR부터 후공정용 고두께 Bump PR까지 다양한 제품군을 보유하고 있으며 반도체 Tech 고도화 및 미세화에 따른 EUV PR 제품 개발을 진행하고 있습니다.

포토레지스트(PR) 종류와 특성

• 포지티브 PR과 네거티브 PR을 기판에 도포합니다.
• 포토마스크를 통과한 빛(노광)이 기판 위의 포토레지스트에 노출됩니다.
• 기판 위에 패턴화된 PR(포토레지스트)이 형성됩니다.

반사방지막(BARC)란?

• 노광 공정 중 발생하는 Substrate로부터 빛의 산란과 반사를 억제하여 Pattern profil에 대한 손실을 최소화하는 Material입니다.
• SKMP의 BARC는 BARC 제품은 ArF Imm. BARC부터 KrF BARC까지 코팅성이 우수한 제품군을 보유하고 있으며
  높은 굴절률(n)을 갖고 있어서 최소한의 두께로도 물성 구현이 가능합니다.

Photoresist에 Substrate BARC를 사용 시 Substrate BARC에서 반사되는 산란된 빛을 제거하고 wave(파동)도 제거됩니다.

Photoresist에 Substrate BARC를 미사용하거나 성능에 이상이 있을 경우, Substrate에서 빛이 파동을 일으키며 산란됩니다.

BARC의 역할 및 효과

1. 1. 산란된 빛 제거
2. 2. Standing Wave 제거
3. 3. Process window 증가
4. 4. PR과 Sub와의 Interaction 방지

하드마스크(SOC)란?

• 반도체의 고집적화에 따라 PR의 두께가 점점 얇아지고 패턴의 크기가 작아짐에 따라 PR 패턴의 쓰러짐 현상이 발생하게 됩니다.
  때문에 PR 패턴을 이용하여 피식 각층을 식각할 수 없게 되어 PR과 피식 각층 사이에 식각 내성이 강한 대표적 물질이 하드 마스크(SOC)입니다.
• 강한 식각 내성 및 평탄화 특성을 갖는 SKMP의 SOC 제품은 400Å의 제품군부터 3㎛ 두께 구현이 가능한 제품군까지 다양하게 보유하고 있으며, 고객사 및 반도체 기술 발달에 따라 공정 특성에 맞는 우수한 SOC를 개발하고 있습니다.

Photoresist 두께를 낮춰 패턴 쓰러짐 현상 방지하는 Substrate(기판)이 에치과정을 거치면 식각 공정 시 원하는 깊이의 패턴을 얻지 못합니다.
Substrate(기판)에 Photoresist와 Hardmask를 도입하면, 노광현상 과정에서 Photoresist 패턴이 형성되고, 이후 에치 과정을 거쳐 Hardmask 패턴이 형성되며 최종적으로 원하는 크기와 깊이의 패턴이 완성됩니다.